。AMCOM推出的AM000501XD-P3是一款高性能的双平衡无源混频器，工作频率范围为2 MHz至500 MHz，专为满足多种应用需求而设计。该器件能够实现高效
2024-10-19 20:10 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介3N40K3-VB 是一款由VBsemi公司生产的单N沟道MOSFET，采用SOT223-3封装。该器件具有650V的漏源电压（VDS）和±30V的栅源电压（VGS），适用于要求高
2024-11-07 16:08 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介3N80L-TN3-R-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装。具有800V的漏源电压（VDS）和±30V的栅源电压（VGS），适用于高电压的功率管理和开关应用。采用
2024-11-07 16:45 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介3N60ZG-TF3-T-VB 是一款高压单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，适用于高压应用场合。它具有较高的击穿电压和可靠性，适用于要求高效能和高稳定性的电源和开关电路
2024-11-07 16:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**3N62K3-VB TO220F** 是一款单N沟道MOSFET，具有高电压和低功率特性。采用平面技术制造，适用于中低功率应用场合。该器件适用于各种开关和放大应用，具有良好
2024-11-07 16:23 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介3N65L-TF3-T-VB 是一款由VBsemi公司生产的单N沟道MOSFET，采用TO220F封装。该器件具有650V的漏源电压（VDS）和±30V的栅源电压（VGS），适用于
2024-11-07 16:28 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介3N65ZG-TF3-T-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO220F封装。该器件具有650V的漏源电压（VDS）和±30V的栅源电压（VGS），适用于要求高电压的功率管
2024-11-07 16:30 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介3N80L-TM3-T-VB 是一款由VBsemi公司生产的单N沟道MOSFET，采用TO251封装。该器件具有800V的漏源电压（VDS）和±30V的栅源电压（VGS），适用于要求
2024-11-07 16:43 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**产品型号：3N60L-TF3-T-VB**3N60L-TF3-T-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO-220F封装。具有650V的漏源电压（VDS）、30V的栅源电压
2024-11-07 16:21 微碧半导体VBsemi 企业号
