TTM Technologies 的 X3C19P2-03S 是一款 90 度混合耦合器，频率为 1.7 至 2 GHz，平均功率 145 至 176 W，插入损耗 0.12 至
2023-08-10 17:48 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
TTM Technologies 的 X3C19P2-30S 是一款定向耦合器，频率为 1.4 至 2.7 GHz，耦合为 30 至 30.4 dB，耦合变化 ±1.5 dB，方向性为 20 dB
2023-08-15 17:08 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
TTM Technologies 的 X3C09P2-30S 是一款定向耦合器，频率为 700 MHz 至 1 GHz，耦合 30 至 30.4 dB，耦合变化 ±1.5 dB，方向性 20 dB
2023-08-15 16:06 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
TTM Technologies 的 X3C20P2-25S 是一款定向耦合器，频率为 1.7 至 2.2 GHz，耦合为 25 dB，耦合变化 ±1.5 至 ±2 dB，频率灵敏度为 ±0.05
2023-08-15 17:38 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
型号：S2P-VH(LF)(SN)详细描述：针座连接器 通孔，直角 2 位置 0.156"（3.96mm）类别：连接器，互连器件矩形连接器 - 针座，公插针系列：VH连接器类型：接头触头类型：公形
2022-04-20 14:43 深圳市骏创达科技有限公司 企业号
### 一、2SJ528S-VB 产品简介2SJ528S-VB 是由 VBsemi 生产的单一 P-沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造。该器件封装在 TO252 外壳中，具有良好
2024-07-15 16:13 微碧半导体VBsemi 企业号
### 2SJ399S-VB MOSFET 产品简介2SJ399S-VB 是一款单 P-Channel MOSFET，采用 TO251 封装。具有低电压和高电流的特性，适用于需要处理低电压和高电流
2024-07-15 14:36 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、2SJ280S-VB 产品简介2SJ280S-VB 是一款由 VBsemi 生产的单一 P-沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造。该器件封装在 TO263 外壳中，具有
2024-07-12 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、2SJ505S-VB 产品简介2SJ505S-VB 是一款由 VBsemi 生产的单一 P-沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造。该器件封装在 TO263 外壳中，具有
2024-07-15 15:47 微碧半导体VBsemi 企业号
