今日（5月6日）消息，IBM宣布造出了全球第一颗2nm工艺的半导体芯片。核心指标方面，IBM称该2nm芯片的晶体管密度（MTr/mm
2021-07-20 06:51
随着新能源市场的发展，各大IC厂商的AFE芯片更是百花齐放 本文主要对比美信、凌特、恩智浦、德州仪器四家IC厂商主流AFE芯片的优缺点简单粗暴直接上图L9763单片最多可以采9串电池，带有内部
2021-12-09 06:32
资料描述：自从上世纪七十年代MCU诞生以来，芯片的破解技术与防止芯片被破解方案就在不断在上演着“道高一尺，魔高一丈”，一山更比一山高的追逐。本文将单片机在安全保护方面的发展历程与大家分享。并在文章的最后，总结了现阶段安全级别最高的智能卡
2021-11-03 08:52
适用了20余年的摩尔定律近年逐渐有了失灵的迹象。从芯片的制造来看，7nm就是硅材料芯片的物理极限。不过据外媒报道，劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限，采用碳纳米管复合材料将现有最精尖
2021-07-28 07:55
亿美元，而5nm制程1万片产能投资估计达到了50亿美元。与7nm相比，高精尖的5nm对所涉及的供应链要求更高，无论是上游的半导体制造设备商，还是与台积电制造相关的原材料、零部件及服务商，或是
2020-03-09 10:13
从7nm到5nm，半导体制程芯片的制造工艺常常用XXnm来表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工艺。所谓的XXnm指的是集
2021-07-29 07:19
改善外延片均匀性。如果一片外延片波长分布在2nm之内，亮度的变化在+15%之内，则可以将这个片子上的所有芯片归为一档（Bin），只要通过测试把不合格的芯片去除即可，将大大增加芯
2018-08-24 09:47
（函数列表）2.4 LwIP 的三种编程接口2.4.1 RAW/Callback API2.4.2 NETCONN API2.4.3 SOCKET API2.1 LwIP 的优缺点此文以 LwIP 2
2022-01-20 06:25
1.前言LDO(低压差线性稳压器)、DCDC(直流-直流变换器)是在做板卡电源设计时候最常用的电源芯片；两者都有着自己明显的优缺点。**从定义来看的话LDO也是一种直流转直流电源芯片，即它属于
2021-07-26 07:56
瓷介介质变形，从而使电容器的介质变薄而使击穿电压下降，同时金属化电极的变形也可导致电容在加电时电场不均匀而击穿失效。瓷片电容 2、陶瓷电容器内部的介质空洞缺点： 介质空洞是陶瓷电容器内部常见的缺点
2019-11-13 14:14
