的不断提升，光刻机缩激光波长也在不断的缩小，从436nm、365nm的近紫外（NUV）激光进入到246nm、193nm的
2020-07-07 14:22
的要求则反过来，我们要确保影像要绝对清晰，就要将对焦点落在光阻上，并且确保光阻绝对不可落到景深范围之外。那ASML的光刻机景深有多大呢？ 所以我们就是要把光阻移到这个100nm的范围之内，是不是有点
2020-09-02 17:38
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻机作为集成电路制造中最关键的设备，对芯片制作工艺有着决定性的影响，被誉为“超精密制造技术皇冠上的明珠”，根据之前中芯国际的公报，目...
2021-07-29 09:36
如果国家以两弹一星的精神投入光刻机的研发制造，结果会怎样？
2020-06-10 19:23
电子直写光刻机驻极体圆筒聚焦电极 随着科技进步，对电子显微镜的精度要求越来越高。电子直写光刻机的精度与电子波长和电子束聚焦后的焦点直径有关，电子波长可通过增加加速电极电压来减小波长，而电子束聚焦后
2025-05-07 06:03
今日（5月6日）消息，IBM宣布造出了全球第一颗2nm工艺的半导体芯片。核心指标方面，IBM称该2nm芯片的晶体管密度（MTr/mm2，每平方...
2021-07-20 06:51
%，Lam Research为10亿美元，占台积电采购额的9%，迪恩士占5%，KLA占4%。ASML目前，全球仅有ASML一家公司掌握着EUV光刻机的核心技术，这也是5nm制程必需的设备，但EUV
2020-03-09 10:13
微米之间,此间隙可以大大减少对掩膜版的损伤.接近式暴光的分辨率较低,一般在2~4微米之间,因此接近式光刻机只能装配在特征尺寸交大的集成电路生产线中.接触或接近式光刻机的主要优点是生产效率较高。 ◆接触式
2012-01-12 10:56
芯片任重而道远。2.国内单片机芯片：晶圆硅提纯时需要旋转，然后进行切割成晶圆。晶圆加工的过程有点繁琐。首先在晶圆上涂一层感光材料（见光融化），光刻机提供精准的光线，在感光材料上刻出图案，让底下的晶圆裸露出
2018-09-03 16:48
。光刻机的曝光波长也在由紫外谱g线 (436nm)→i线(365nm)→248nm→193nm→极紫外光（EUV）→X射
2018-08-23 11:56
