遭受静电或其它感应过电压等情况的影响而损坏，此方案采用导通电压精准度高、响应速度快、钳位电压低的瞬态抑制二极管（TVS）做保护，满足 IEC 61000-4-
2022-06-15 14:09 深圳市优恩半导体有限公司 企业号
简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑
2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
端口，为了确保这些数据端口能够在最终安装环境中正常工作，它们必须符合某些电磁兼容性 EMC 的规定，此方案采用封装体积小、导通电压精度高、响应速度快、钳位电压低的
2022-12-09 14:29 深圳市优恩半导体有限公司 企业号
，导致设备及易遭受静电或其它感应过电压等情况的影响而损坏，此方案采用导通电压精准度高、响应速度快、钳位电压低的瞬态抑制二极管（TVS）做保护，满足 IEC6100
2022-06-23 14:42 深圳市优恩半导体有限公司 企业号
第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的击穿电压强度，更低的损耗和
2023-05-29 10:16 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
的 ESD损害，怎么让产品稳定可靠的运行，成为我们迫切需要处理的问题，常规的静电防护器件可能会影响数据的传输，造成音质失真等现象；此方案采用封装体积小、导通电压精度高、响
2023-05-15 15:05 深圳市优恩半导体有限公司 企业号
