型号 AO4882丝印 VBA3410品牌 VBsemi详细参数说明 类型 2个N沟道MOSFET 最大耐压 40V 最大电流 12A 导通电阻 15mΩ
2023-10-31 15:35 微碧半导体VBsemi 企业号
TNT4882-BQF66 产品概述如需咨询请点击左侧关于页面，然后电联（ 切记不要留言 不要留言 留言 留言看不到无法沟通） 深圳市华沣恒霖电子有限公司产品与服务：提供各种电子元器件
2024-10-18 10:43 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
的耐压、较低的导通电阻以及良好的开关性能，适用于高效电源管理和各种工业应用。### 二、10N60M2-VB 详细参数说明| 参数 &nb
2024-07-04 17:21 微碧半导体VBsemi 企业号
。### 详细参数说明- **型号**：2N70-VB- **封装**：TO220- **配置**：单N沟道- **漏源电压 (VDS)**：700V- **栅源电压
2024-07-12 14:01 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi 的 2N0605-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO263 封装。这款 MOSFET 具有高电流承载能力和低导通电阻，适用于高功率应用。### 详细参数
2024-07-11 14:51 微碧半导体VBsemi 企业号
JANTXV2N6847 产品概述JANTXV2N6847 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，专为高电压和高电流应用设计。凭借其优异的电气特性和可靠性，JANTXV2N
2024-10-28 09:12 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介2N7002LLG-AE2-R-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用SOT23-3封装，由VBsemi提供。该器件具有60V的漏极-源极电压，适用于低功率应用。采用了Trench
2024-07-11 17:27 微碧半导体VBsemi 企业号
和马达驱动等领域。### 2. 参数说明：- **器件类型**：双N沟道MOSFET- **封装**：SC70-6- **最大漏极-源极电压（VDS）**：60V-
2024-07-11 17:00 微碧半导体VBsemi 企业号
等领域。2N120-VB采用TO252封装，具有良好的散热性能和中等功率密度，适合于需要中等功率密度和高可靠性的应用。### 详细参数说明- **型号**: 2N
2024-07-11 15:24 微碧半导体VBsemi 企业号
逆变器、电机驱动和照明控制等领域。### 2. 参数说明：- **器件类型**：单N沟道MOSFET- **封装**：TO252- **最大漏极-源极电压（VDS）*
2024-07-12 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号
