### 产品简介4856NG-VB是一款单通道N沟道MOSFET，采用先进的Trench技术，封装形式为TO252。它具有极低的导通电阻、高漏极电流承载能力和稳定的性能特性，适用于需要高电流控制
2024-11-12 11:41 微碧半导体VBsemi 企业号
**VBsemi SI4856ADY-T1-E3-VB****详细参数说明:**- 类型: N沟道场效应管 (N-Channel MOSFET)- 额定电压(VDS):
2024-02-19 14:38 微碧半导体VBsemi 企业号
MMDF2N05ZR2G-VB 是 VBsemi 品牌的产品，具有以下详细参数说明：- **型号**: MMDF2N05ZR2G-VB- **丝印**: VBA3638- **封装**: SOP8-
2024-03-22 16:48 微碧半导体VBsemi 企业号
MMDF2N06VLR2G-VB是VBsemi品牌的SOP8封装的双N沟道场效应管。以下是其详细参数和应用简介：- 参数： - 沟道类型：
2024-03-22 16:50 微碧半导体VBsemi 企业号
产品型号: NTMD6N04R2G-VB品牌: VBsemi丝印: VBA3638参数:- 沟道类型: 2个N-Channel- 额定电压: 60V- 额定电流: 6A
2024-04-02 14:56 微碧半导体VBsemi 企业号
的耐压、较低的导通电阻以及良好的开关性能，适用于高效电源管理和各种工业应用。### 二、10N60M2-VB 详细参数说明| 参数 &nb
2024-07-04 17:21 微碧半导体VBsemi 企业号
JANTXV2N6847 产品概述JANTXV2N6847 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，专为高电压和高电流应用设计。凭借其优异的电气特性和可靠性，JANTXV2N
2024-10-28 09:12 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介2N7002LLG-AE2-R-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用SOT23-3封装，由VBsemi提供。该器件具有60V的漏极-源极电压，适用于低功率应用。采用了Trench
2024-07-11 17:27 微碧半导体VBsemi 企业号
。### 详细参数说明- **型号**：2N70-VB- **封装**：TO220- **配置**：单N沟道- **漏源电压 (VDS)**：700V- **栅源电压
2024-07-12 14:01 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi 的 2N0605-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO263 封装。这款 MOSFET 具有高电流承载能力和低导通电阻，适用于高功率应用。### 详细参数
2024-07-11 14:51 微碧半导体VBsemi 企业号
