根据提供的型号和参数,以下是对该 MOSFET 型号 NDT3055-VB 的详细参数和应用简介:**型号:** NDT3055-VB**丝印:** VBJ1695**品牌:** VBsemi
2023-12-18 17:45 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:APM3055LUC-TRL-VB丝印:VBE1310品牌:VBsemi参数:- N沟道- 额定电压:30V- 最大电流:70A- 开态电阻 (RDS(ON)):7mΩ @ 10V, 9m
2023-12-15 09:56 微碧半导体VBsemi 企业号
NDT3055L详细参数说明 - 极性 N沟道- 额定电压 60V- 额定电流 4A- 导通电阻 76mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V- 门源电压 20Vgs (±V
2023-10-27 17:38 微碧半导体VBsemi 企业号
**VBsemi MTD3055VLT4G-VB 产品详细参数说明与应用简介****参数说明:**- **型号:** MTD3055VLT4G-VB- **丝印:** VBE1695- **品牌
2024-01-03 16:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介3055-VB 是一款由 VBsemi 生产的单通道 N 型 MOSFET,采用 SOT223 封装。该器件具有低漏源电压和低导通电阻,适用于低功率功率开关和电压调节
2024-11-04 16:43 微碧半导体VBsemi 企业号
Qorvo 的 QPA3055P 是一款封装的高功率 S 波段放大器,采用 Qorvo 生产的 0.25 微米 GaN on SiC 工艺 (QGaN25) 制造。QPA3055P 覆盖 2.9
2022-11-03 11:39 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### APM3055LUC-VB MOSFET 产品简介APM3055LUC-VB 是一款高性能的单N沟道功率 MOSFET,采用TO252封装。该器件专为低导通电阻和高电流承载能力设计,能够在
2024-12-30 17:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介:APM3055NU-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET,采用先进的 Trench 技术制造,封装为 TO252。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和出色的开关性能
2024-12-30 17:36 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**3055L-VB**是一款由VBsemi生产的N沟道功率MOSFET,采用SOT223封装。它适用于各种中低压电力管理应用,特别是在需要高开关频率和低导通电阻的场合。该
2024-11-04 16:42 微碧半导体VBsemi 企业号