### 产品简介VBsemi 2SJ550S-VB 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,采用 TO263 封装。其采用了先进的 Trench 技术,具有优异的导通电阻和可靠性。这款 MOSFET
2024-07-15 16:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 2SJ319L-VB MOSFET 产品简介2SJ319L-VB 是一款单 P-Channel MOSFET,采用 TO251 封装。该器件具有高压承受能力和低功率损耗特性,适用于需要处理高
2024-07-12 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、2SJ528S-VB 产品简介2SJ528S-VB 是由 VBsemi 生产的单一 P-沟道 MOSFET,采用先进的 Trench 技术制造。该器件封装在 TO252 外壳中,具有良好
2024-07-15 16:13 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、2SJ476-01S-VB 产品简介2SJ476-01S-VB 是一款由 VBsemi 生产的单一 P-沟道 MOSFET,采用先进的 Trench 技术制造。该器件封装在 TO263
2024-07-15 15:27 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、2SJ505S-VB 产品简介2SJ505S-VB 是一款由 VBsemi 生产的单一 P-沟道 MOSFET,采用先进的 Trench 技术制造。该器件封装在 TO263 外壳中,具有
2024-07-15 15:47 微碧半导体VBsemi 企业号
### 2SJ399S-VB MOSFET 产品简介2SJ399S-VB 是一款单 P-Channel MOSFET,采用 TO251 封装。具有低电压和高电流的特性,适用于需要处理低电压和高电流
2024-07-15 14:36 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、2SJ280S-VB 产品简介2SJ280S-VB 是一款由 VBsemi 生产的单一 P-沟道 MOSFET,采用先进的 Trench 技术制造。该器件封装在 TO263 外壳中,具有
2024-07-12 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号
### 2SJ553S-VB MOSFET 产品简介2SJ553S-VB 是一款单 P-Channel MOSFET,采用 TO263 封装。具有中等电压和高电流的特性,适用于需要处理中等电压和高
2024-07-15 16:39 微碧半导体VBsemi 企业号
型号 2SJ245S丝印 VBE2610N品牌 VBsemi详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 60V 额定电流 38A 开通电阻(RDS(ON)) 61mΩ @ 10V, 72m
2023-11-03 15:41 微碧半导体VBsemi 企业号