### 产品简介**型号：2SJ542-VB**2SJ542-VB 是一款单P沟道MOSFET，采用TO220封装，具备高性能和可靠性。其采用槽沟道（Trench）技术，结合了较高导通电流和较低导
2024-07-15 16:27 微碧半导体VBsemi 企业号
ADSP-BF542处理器专为满足注重系统性能和成本的汇聚多媒体应用的需求而设计。多媒体、人机接口和连接外设的集成与更高的系统带宽和更大的片上存储器相结合，为客户提供了一个用来设计要求最严苛
2023-07-07 11:27 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
HMC542BLP4E是一款宽带6位GaAs IC数字衰减器，带有CMOS兼容的串行至并行转换驱动，采用低成本无引脚表贴封装。 该串行控制数字衰减器采用片外AC接地电容器，进行近直流操作，这一特性
2023-02-15 17:49 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
## 产品简介**型号：BUK542-100B-VB**BUK542-100B-VB是一款高性能N沟道MOSFET，封装为TO220。这款MOSFET设计用于在高达100V的漏源电压下工作，具有优秀
2025-01-13 14:35 微碧半导体VBsemi 企业号
### 2SJ605-VB 产品简介2SJ605-VB是一款高性能的单P沟道MOSFET，采用TO-220封装。它采用了先进的Trench技术，提供了卓越的导通电阻和高电流能力，适用于各种功率管
2024-07-15 17:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 2SJ680-VB 产品简介2SJ680-VB 是一款单P沟道MOSFET，采用TO251封装。它具有-200V的漏极-源极电压（VDS）、20V（±V）的栅极-源极电压（VGS
2024-07-16 11:57 微碧半导体VBsemi 企业号
### 2SJ650-VB 产品简介2SJ650-VB 是一款单P沟道MOSFET，采用TO220F封装。它具有-60V的漏极-源极电压（VDS）、20V（±V）的栅极-源极电压（VGS
2024-07-16 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 2SJ340-VB MOSFET 产品简介2SJ340-VB 是一款高性能单 P-Channel MOSFET，采用 TO263 封装。该器件具有高功率承受能力和低导通电阻，适用于各种高电流
2024-07-15 14:09 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、2SJ243-VB 产品简介2SJ243-VB 是一款由 VBsemi 生产的单一 P-沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造。该器件封装在 SC75-3 外壳中，具有
2024-07-12 16:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 2SJ183-VB MOSFET 产品概述2SJ183-VB 是一款高性能单 P-Channel MOSFET，设计用于广泛的应用领域。该器件采用 TO251 封装，具有最大漏极-源极电压
2024-07-12 15:32 微碧半导体VBsemi 企业号
