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型号：<b class='flag-s-7'>2SJ387L</b>-VB 品牌：微碧

### 2SJ387L-VB MOSFET 产品简介#### 产品概述2SJ387L-VB 是一款适用于中功率应用的 P-Channel MOSFET。采用 TO251 封装，利用槽沟技术设计，具有

2024-07-15 14:27 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>2SJ387</b>-VB 品牌：微碧

### 一、2SJ387-VB产品简介2SJ387-VB是一款高性能的P-沟道MOSFET，采用TO-252封装。该器件具有高漏极-源极电压（VDS）、低导通电阻和高电流处理能力，适用于各种要求严格

2024-07-15 14:31 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>2SJ387S</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介2SJ387S-VB 是 VBsemi 公司生产的单通道 P 型 MOSFET，采用 TO252 封装。该器件具有较低的导通电阻和较高的漏极电流处理能力，适用于一般功率管理和开关

2024-07-15 14:30 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>2SJ387</b>STL-E-VB 品牌：微碧

### 2SJ387STL-E-VB MOSFET 产品简介**产品描述：**2SJ387STL-E-VB 是一款单通道 P 型 MOSFET，专为各种电子应用中的高效能量管理而设计。该

2024-07-15 14:28 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>2SJ319L</b>-VB 品牌：微碧

### 2SJ319L-VB MOSFET 产品简介2SJ319L-VB 是一款单 P-Channel MOSFET，采用 TO251 封装。该器件具有高压承受能力和低功率损耗特性，适用于需要处理高

2024-07-12 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>2SJ528S</b>-VB 品牌：微碧

### 一、2SJ528S-VB 产品简介2SJ528S-VB 是由 VBsemi 生产的单一 P-沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造。该器件封装在 TO252 外壳中，具有良好

2024-07-15 16:13 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>2SJ476-01S</b>-VB 品牌：微碧

### 一、2SJ476-01S-VB 产品简介2SJ476-01S-VB 是一款由 VBsemi 生产的单一 P-沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造。该器件封装在 TO263

2024-07-15 15:27 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>2SJ245S</b>-VB 品牌：微碧

型号 2SJ245S丝印 VBE2610N品牌 VBsemi详细参数说明  极性 P沟道 额定电压 60V 额定电流 38A 开通电阻（RDS(ON)） 61mΩ @ 10V, 72m

2023-11-03 15:41 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>2SJ505S</b>-VB 品牌：微碧

### 一、2SJ505S-VB 产品简介2SJ505S-VB 是一款由 VBsemi 生产的单一 P-沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造。该器件封装在 TO263 外壳中，具有

2024-07-15 15:47 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>2SJ553S</b>-VB 品牌：微碧

### 2SJ553S-VB MOSFET 产品简介2SJ553S-VB 是一款单 P-Channel MOSFET，采用 TO263 封装。具有中等电压和高电流的特性，适用于需要处理中等电压和高

2024-07-15 16:39 微碧半导体VBsemi 企业号