监视电压)。LTC2903-1 具有一个漏极开路 RST 输出和一个弱的内部上拉电流源。内部电源电压 (VCC) 由 V1、V2 输入中数值较大
2023-04-18 15:57 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### AUF2903Z-VB 产品简介AUF2903Z-VB 是一款高性能单 N-Channel MOSFET,封装在 TO220 封装中。该 MOSFET 采用 Trench 技术,能够承受高达
2025-01-02 15:34 微碧半导体VBsemi 企业号
用于高功率和高效率的应用场合。其最大漏极源极电压为30V,最大漏极电流可达260A。IRF2903ZSTRLP-VB 的低导通电阻(RDS(ON) = 1.6mΩ
2025-09-03 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号
### IRF2903ZSPBF-VB 产品简介**IRF2903ZSPBF-VB** 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,采用 TO263 封装。它基于 Trench 技术设计,具备
2025-09-03 16:54 微碧半导体VBsemi 企业号
### IRF2903ZSTRRP-VB 产品简介IRF2903ZSTRRP-VB 是一款高效能的 N-Channel MOSFET,封装形式为 TO263。采用先进的 Trench 技术,这款
2025-09-03 17:00 微碧半导体VBsemi 企业号
极低的导通电阻。它能够在高电流和高效率要求的应用中提供出色的性能。IRF2903ZS-VB 的漏源电压为 30V,支持最大 260A 的漏电流,使其非常适合高功率和
2025-09-03 17:02 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AUIRF2903ZS-VB 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET,采用 TO263 封装,专为高电流和低电压应用设计。其最大漏源电压为 30V,能够处理高达 260A 的漏极电流
2025-01-03 15:22 微碧半导体VBsemi 企业号