LTC®2903-1 可监视多达 4 个电源电压。公用复位输出保持低电平,直到所有 4 个输入彼此一致的时间达到 200ms 为止。电压门限可在整个温度范围内保持 ±1.5% 的准确度 (相对于被
2023-04-18 15:57 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### AUF2903Z-VB 产品简介AUF2903Z-VB 是一款高性能单 N-Channel MOSFET,封装在 TO220 封装中。该 MOSFET 采用 Trench 技术,能够承受高达
2025-01-02 15:34 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AUIRF2903Z-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,封装为TO220,并采用了先进的沟槽技术。它具有极低的导通电阻和极高的电流处理能力,专为高功率、高效能的开关
2025-01-03 15:24 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AUIRF2903ZS-VB 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET,采用 TO263 封装,专为高电流和低电压应用设计。其最大漏源电压为 30V,能够处理高达 260A 的漏极电流
2025-01-03 15:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**AUIRF2903ZL-VB** 是一款高性能单N沟道MOSFET,封装为TO262。这款MOSFET设计用于高电流和高效能应用,具有超低的导通电阻和出色的电流处理能力。采用
2025-01-03 15:21 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**AUF2903ZS-VB** 是一款封装在TO263中的N-通道MOSFET,采用Trench技术设计。这款MOSFET以其超低导通电阻和极高的电流承载能力而著称,适用于高效能
2025-01-02 15:33 微碧半导体VBsemi 企业号
特点 宽单电源电压范围或双电源电压范围电源:+2.5 V至+36 V或±1.25 V至±18 V 极低电源电流(150μA/ch) 低输入偏置电流:最大1 nA 低偏移电压:最大±6.0 mV 输入共模电压范围包括地 内部差分输入电压范围等于电源电压 低输出饱和 −40°C至125°C操作范围 ESD额定值:HBM 4 kV,CDM 2 k
2024-07-09 11:59 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号