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型号：<b class='flag-s-7'>28NM</b>50N-VB TO220F 品牌：微碧

### VBsemi 28NM50N-VB MOSFET 产品概述VBsemi 28NM50N-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET，采用 TO220F 封装，适用于需要高效能功率

2024-07-11 14:14 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>28NM</b>50N-VB TO247 品牌：微碧

### VBsemi 28NM50N-VB MOSFET 产品概述VBsemi 28NM50N-VB 是一款高性能的单 N-通道 MOSFET，设计用于各种功率管理应用。该 MOSFET 封装

2024-07-11 14:18 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>28NM</b>50N-VB TO220 品牌：微碧

### 产品简介**28NM50N-VB**是一款单N沟道MOSFET，由VBsemi生产，采用TO220封装。这款MOSFET具有500V的漏源电压（VDS）和30V（±）的栅源电压（VGS）。其

2024-07-11 14:12 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：电子<b class='flag-s-7'>工艺</b>质量评价 品牌：广电计量

服务范围PCB、PCBA、汽车焊接零部件检测标准1、整车厂标准：韩系（含合资）-ES90000系列、⽇系（含合资）-TSC0507G、TSC0509G、 TSC0510GTSC3005G、德系（含合资）-VW80000系列、美系（含合资）-GMW3172、吉利汽车系列标准、奇瑞汽车系列标准、一汽汽车系列标准等2、其他行业标准/国标/特殊行业标准等：

2024-01-29 22:37 广电计量 企业号

型号：SMA<b class='flag-s-7'>28</b> 品牌：

SMA28可级联SMA28 射频放大器采用分立式薄膜混合设计，采用薄膜制造工艺实现精确性能和高可靠性。这种单级双极晶体管反馈放大器设计在宽带频率范围内表现出令人印象深刻的性能。除了用于电源去耦的射频

2022-11-28 16:12 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号

型号：CA<b class='flag-s-7'>28</b> 品牌：

CA28 （非 RoHS）可级联CA28 (A28) 连接器版本射频放大器采用分立式薄膜混合设计，采用薄膜制造工艺实现精确性能和高可靠性。这种单级双极晶体管反

2023-03-23 16:35 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号

型号：CA<b class='flag-s-7'>28</b>-2 品牌：

CA28-2 （非 RoHS）可级联，Hi EffCA28-2 (A28-2) 连接器版本射频放大器采用分立式薄膜混合设计，采用薄膜制造工艺实现精确性能和高可

2023-03-16 13:56 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号

型号：1550<b class='flag-s-7'>nm</b>-SOA-chip 品牌：

 1550nm半导体光放大器SOA芯片见合八方1550nm波长的半导体光放大器（SOA）芯片是一款高增益、高功率、低偏振损耗、高消光比的全工艺国产化的芯片。符合GR-468-CORE标准

2022-05-23 21:44 天津见合八方光电科技有限公司 企业号

型号：A<b class='flag-s-7'>28</b>-2 品牌：

A28-2  可级联，高效A28-2 射频放大器采用分立式薄膜混合设计，采用薄膜制造工艺实现精确性能和高可靠性。这种单级双极晶体管反馈放大器设计在宽带频率范围内表现出令人印象深刻

2023-03-16 13:08 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号

型号：MGV100-08-E<b class='flag-s-7'>28</b> / <b class='flag-s-7'>28</b> X 品牌：

MGV100-08-E28 / 28 XMACOM 的 MGV100-08-E28 / 28 X 是电容为 0.08 pF、电容比为 1.9 至 4、正向连续电流为 1

2023-04-13 15:35 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号