描述BL24C256A提供262144位串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为32768每个字8位。该设备经过优化，可用于多种用途工业和商业应用低功率和低电压操作本质
2023-05-16 15:12 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
1.概述W25Q256JV（256M位）串行闪存为具有有限空间、引脚和电源的系统提供了存储解决方案。25Q系列提供了远远超出普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合将代码隐藏到RAM，直接从双
2024-03-26 11:40 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
1.概述W25Q256JV（256M位）串行闪存为具有有限空间、引脚和电源的系统提供了存储解决方案。25Q系列提供了远远超出普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合将代码隐藏到RAM，直接从双
2024-03-25 14:55 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
1.概述W25Q256JV（256M位）串行闪存为具有有限空间、引脚和电源的系统提供了存储解决方案。25Q系列提供了远远超出普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合将代码隐藏到RAM，直接从双
2024-03-28 11:06 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
1.概述W25Q256JW（256M位）串行闪存为具有有限空间、引脚和电源的系统提供了存储解决方案。25Q系列提供了远远超出普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合将代码隐藏到RAM，直接从双
2024-03-27 16:03 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
1.概述W25Q256JW（256M位）串行闪存为具有有限空间、引脚和电源的系统提供了存储解决方案。25Q系列提供了远远超出普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合将代码隐藏到RAM，直接从双
2024-03-27 14:33 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
MT53E256M16D1DS-046 AAT:B是一款高性能的DDR4 SDRAM内存芯片，由MICRON制造，专为满足现代电子设备对高速内存的需求而设计。该产品具备出色的存储性能和能效，适用于
2025-02-14 07:40 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
特点4Gb双数据速率3（DDR3（L））DRAM是一种高速CMOS SDRAM，包含4294967296位。它内部配置为八进制存储体DRAM。4Gb芯片由64Mbit x 8 I/O x 8存储体
2025-02-20 11:44 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准上海伯东代理美国 inTEST Sigma M256 高低温试验箱, 提供快速
2023-12-01 10:58 伯东企业（上海）有限公司 企业号
1.概述W25M512JV（2 x 256M位）串行MCP（多芯片封装）闪存基于流行的W25Q SpiFlash®系列，将两个单独的W25Q256JV管芯堆叠到标准的8
2024-03-28 15:08 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
