HMC247Analog Devices 的 HMC247 是一款 400° 模拟移相器芯片，工作频率为 5 至 18 GHz。相移由 0 至 +10V 的模拟控制电压控制。该器件在 9 GHz
2022-10-30 12:12 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
### 一、产品简介20N50-VB TO247 是 VBsemi 生产的一款高性能单N沟道MOSFET，封装为TO247，适用于高压、高功率的电源开关和电机驱动等应用。采用多重外延结构
2024-07-09 15:48 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**型号：20N60-VB TO247**VBsemi的20N60-VB TO247是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技术制造。它具有650V的漏
2024-07-09 16:12 微碧半导体VBsemi 企业号
### 21NM60ND-VB TO247 产品简介21NM60ND-VB TO247 是一款高压高功率单 N-沟道 MOSFET，采用 SJ_Multi-EPI 技术，封装形式为 TO247。具有
2024-07-09 17:42 微碧半导体VBsemi 企业号
TO247封装，适用于多种领域和模块，提供可靠的性能和高效的功率控制。### 参数说明- **型号:** 18NM80-VB TO247- **封装:** TO247
2024-07-08 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**65F6420-VB TO247** 是一款单通道N沟道MOSFET，采用TO247封装，具备高压容忍和可靠性。该器件采用Plannar技术，适用于要求高效能和高功率密度的应用场
2024-11-16 14:59 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介**70N10F4-VB TO247 MOSFET**70N10F4-VB TO247是一款单通道N沟道MOSFET，采用了Trench技术，设计用于高电流和中等电压应用。它
2024-11-19 11:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介**6R190E6-VB TO247 MOSFET**6R190E6-VB TO247是一款单通道N沟道MOSFET，设计用于高压应用。它采用了SJ_Multi-EPI技术
2024-11-18 17:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**5R140P-VB TO247**是一款高性能单N沟道功率MOSFET，专为高电压和高电流应用而设计。采用TO247封装，适合于需要高可靠性和低导通电阻的功率电子系统和控制
2024-11-15 15:46 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**型号：24NM60N-VB TO247**VBsemi的24NM60N-VB TO247是一款高性能单N沟道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技术。该器件具有高耐压
2024-07-10 15:38 微碧半导体VBsemi 企业号
