HMC247Analog Devices 的 HMC247 是一款 400° 模拟移相器芯片，工作频率为 5 至 18 GHz。相移由 0 至 +10V 的模拟控制电压控制。该器件在 9 GHz
2022-10-30 12:12 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
### 产品简介**65F6150-VB TO247** 是一款单通道N沟道MOSFET，采用TO247封装，具备高性能和可靠性。该MOSFET采用SJ_Multi-EPI技术，适用于高压和高功率
2024-11-16 14:43 微碧半导体VBsemi 企业号
Qorvo 的 CMD247 是一款射频放大器，频率为 30 至 40 GHz，增益为 13 dB，噪声系数为 5 dB，P1dB 13.5 dBm，P1dB 0.022 W。标签：低噪声放大器
2022-10-25 11:38 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 1. 产品简介**6R190E6-VB TO247 MOSFET**6R190E6-VB TO247是一款单通道N沟道MOSFET，设计用于高压应用。它采用了SJ_Multi-EPI技术
2024-11-18 17:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**5R140P-VB TO247**是一款高性能单N沟道功率MOSFET，专为高电压和高电流应用而设计。采用TO247封装，适合于需要高可靠性和低导通电阻的功率电子系统和控制
2024-11-15 15:46 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**65F6420-VB TO247** 是一款单通道N沟道MOSFET，采用TO247封装，具备高压容忍和可靠性。该器件采用Plannar技术，适用于要求高效能和高功率密度的应用场
2024-11-16 14:59 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**65C6190-VB TO247** 是一款单通道N沟道MOSFET，采用TO247封装，具备高性能和可靠性。该MOSFET采用SJ_Multi-EPI技术，适用于要求高功率
2024-11-16 13:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介65F660-VB 是一款单 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO247 封装，适用于需要高电压和中等功率的电子应用。该器件具有700V的漏极-源极电压 (VDS)，±30V
2024-11-16 15:05 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介65C6280-VB 是一款单 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO247 封装，适用于高压、高功率的应用场合。该器件具有700V的漏极-源极电压 (VDS) 和 ±30V 的栅极
2024-11-16 13:55 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号：** 5R399P-VB TO247 **封装：** TO247 **配置：** 单N沟道 **VDS：** 500V
2024-11-15 16:41 微碧半导体VBsemi 企业号
