MOSFET的最大漏源电压为40V,能够在高达150A的漏极电流下稳定工作。IRF2204SPBF-VB的设计注重提高开关效率和减少能量损耗,特别适用于电源管理、电动汽车和
2025-09-03 15:47 微碧半导体VBsemi 企业号
### IRF2204S-VB 产品简介**IRF2204S-VB** 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,采用 TO263 封装,基于先进的 Trench 技术制造。这款
2025-09-03 15:50 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**IRF2204L-VB** 是一款高性能单极N沟道MOSFET,封装形式为TO263。采用先进的Trench技术,IRF2204L-VB在高电流和高效能应用中表现突出。其最大漏源
2025-09-03 15:41 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**IRF2204PBF-VB** 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,封装为 TO220,专为要求较高电流和高效能的应用设计。其采用 Trench 技术,具备极低的导
2025-09-03 15:45 微碧半导体VBsemi 企业号
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2023-06-28 15:39 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号