:PMV30XN-VB是VBsemi品牌的N—Channel沟道场效应晶体管,采用SOT23封装。具有20V的额定电压和6A的额定电流,RDS(ON)在VGS=4
2024-04-02 17:41 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:PMV48XP-VB丝印:VB2290品牌:VBsemi参数:P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5
2023-12-20 14:58 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi PMV32UP-VB是一款P沟道场效应管(P-Channel MOSFET)芯片,具有以下关键参数和特性:- 额定电压(VDS):-
2024-04-02 17:44 微碧半导体VBsemi 企业号
;- 额定电压:30V - 额定电流:6.5A - 开通电阻:RDS(ON) = 30mΩ @ VGS = 10V, VGS = 20V&nbs
2024-04-02 17:34 微碧半导体VBsemi 企业号
**PMV30UN-VB 详细参数说明与应用简介:**- **丝印:** VB1240- **品牌:** VBsemi- **参数:** - 封装:SOT23 - 沟道类型:N
2024-04-02 17:39 微碧半导体VBsemi 企业号
PMV50UPE-VB是VBsemi品牌推出的P—Channel MOSFET,采用SOT23封装。以下是该器件的详细参数说明和应用简介:- **参数:** - 封装类型
2024-04-02 17:50 微碧半导体VBsemi 企业号
Ω @ 4.5V 额定栅极源极电压(Vgs) 20V (±V) 阈值电压(Vth) 1.3V 封装类型 TO252应用简介 20
2023-11-06 11:24 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品型号:** PMV33UPE-VB**丝印:** VB2355**品牌:** VBsemi**参数:**- 封装类型:SOT23- 沟道类型:P—Channel- 最大耐压:-30V- 最大
2024-04-02 17:45 微碧半导体VBsemi 企业号
电流:6.5A - 开启电压(门源电压):Vth=1.2~2.2V - 开启电阻:RDS(ON)=30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
2024-04-02 17:28 微碧半导体VBsemi 企业号