20 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PMZ350UPE
2023-03-02 22:49
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率
2019-07-09 17:30
0—20V数控电源
2015-07-24 21:48
FP6102 20V、3A降压开关调节器芯片 一般说明 FP6102是一种用于广泛工作电压应用领域的降压开关调节器。FP6102包括高电流P-MOSFET，用于将输出电压与反馈放大器进行比较
2023-09-19 14:36
压大功率MOSFET 100V-250V产品特征1、低导通电阻，低栅极电荷2、高散热能力，高结温下，大电流持续导通能力3、高EAS能力。（100%UIS测试）P/NPartNumberPackageV
2012-06-20 16:24
光通信应用经常需要从+3.3V的输入电源升压得到一组正负电压，比如+/-20V，常见的做法是用两颗芯片分别去产生+20V和-20V输出，这种方案体积会比较大，对面积敏感
2022-11-10 06:14
LTC3350EUHF 11V至20V，16A超级电容器充电器的典型应用电路，具有6.4A输入电流限制和10V，60W备用模式。 LTC3350是一款备用电源控制器，可对一至四个超级电容器的串联电池
2019-04-28 10:34
时，在P-和栅极相邻的区域，形成垂直的沟道，电流从漏极流向源极时，同样的，电流垂直流过硅片内部，可以看到，栅极的宽度远小于垂直导电的平面结构，因此具有更小的单元的尺寸，导通电阻更小。常用的沟槽有U型
2016-10-10 10:58
负载配置。最低包装数量：3000PCS每盘应用：锂离子电池充放电开关源极到源极电压：20V栅极到源极电压：±12V源极电流（直流电）：6A源极电流（脉冲）：60A总损耗：1.6W沟道温度：150
2021-07-21 17:09
`SUN2310SGP沟道增强型功率场效应管（MOSFET） ，采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
2011-05-17 10:57
