日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P
2012-11-28 21:17
NP3416BEMR(20V N沟道增强模MOSFET)
2022-07-19 09:07
NP3416EMR(20V N沟道增强模MOSFET)
2022-07-18 17:16
NP2302MR(20V N沟道增强模MOSFET)
2022-07-20 09:09
NP50P06D6(60V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-13 10:49
2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB，扩展其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET
2013-12-05 10:30
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其Si7655DN -20V P沟道Gen III功率MOSFET荣获
2013-12-20 09:10
描述 NP50P02QR采用了先进的战壕 技术和设计，提供优秀的RDS(ON)与 门费用低。它可以用于各种各样的 应用程序。 一般特征 VDS = -20v, id = -50a RDS(上
2022-07-08 10:59
NP3P06MR(40V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-13 11:01
NP2P10MR(100V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-18 09:14
