日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P
2012-11-28 21:17
NP3416BEMR(20V N沟道增强模MOSFET)
2022-07-19 09:07
NP3416EMR(20V N沟道增强模MOSFET)
2022-07-18 17:16
NP2302MR(20V N沟道增强模MOSFET)
2022-07-20 09:09
2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB，扩展其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET
2013-12-05 10:30
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其Si7655DN -20V P沟道Gen III功率MOSFET荣获
2013-12-20 09:10
英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源M
2011-09-13 08:33
NP3P06MR(40V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-13 11:01
NP16P10G(100V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-18 09:06
NP2P10MR(100V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-18 09:14
