型号：ME20N10-VB丝印：VBE1101M品牌：VBsemi参数：N沟道,100V,18A,RDS(ON),115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(
2023-12-20 11:10 微碧半导体VBsemi 企业号
10N20-VB是一款单N沟道MOSFET，具有以下主要参数：- VDS（漏极-源极电压）：200V- VGS（门极-源极电压）：20V（±）- Vth（门极阈值电压）：3V- RDS(ON)（导
2024-07-04 16:44 微碧半导体VBsemi 企业号
### 10N10EL-VB 产品简介：10N10EL-VB 是一款单路 N-沟道场效应管，采用 TO252 封装，主要特点包括：- **VDS（漏极-源极电压）**：
2024-07-04 16:25 微碧半导体VBsemi 企业号
**FDD10N20LZTM-VB**- **丝印：** VBE1203M- **品牌：** VBsemi- **参数：** - 封装：TO252 - 沟道类型：N
2024-02-20 11:21 微碧半导体VBsemi 企业号
