### 5802NG-VB 产品简介5802NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO252 封装。它具有低漏极-
2024-11-14 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5407NG-VB 产品简介5407NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO252 封装。它具有较低的漏极-
2024-11-14 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
合。### 5805NG-VB 详细参数说明- **封装类型**:TO252- **器件配置**:单 N 沟道- **漏极-源极电压 (VDS)**:40V- **栅极-源
2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
说明- **型号**: 5803NG-VB- **封装**: TO252- **配置**: 单 N 沟道- **最大漏源电压 (VDS)**: 40V- **最大栅源电
2024-11-14 14:19 微碧半导体VBsemi 企业号
,适用于高功率电子设备和电源管理应用。### 4854NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**:TO252- **配置**:单N沟道- **漏源电压
2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号