专为 330V-400V 输入和 200V/520W 输出设计的 LLC-SRC此设计中针对输入 MOSFET 采用高侧、低侧栅极驱动器 IC提供测试报告在 200V
2022-09-23 08:04
；PNE20020ERXNexperia其它相关产品请 点击此处 了解特性：200V超快开关部件，最佳恢复时间 (trr) < 25ns高速开关能力低压降（VF在IF最大时约为1
2020-02-13 14:30
to 200V/2.6A output. 96.7% efficiency is achieved at full load and over 95% efficiency at 150W load.主要特色
2018-09-03 09:56
描述 TIDA-00915 设计是一款三相逆变器，用于驱动具有 2kWPEAK 的 200V 交流伺服电机。该设计具有 600V 和 12A LMG3410 氮化镓 (GaN) 电源模块，具有集成
2018-10-31 17:33
电路图为LT1303,3芯至3.3V / 200mA MOSFET降压/升压转换器
2020-08-10 09:40
MOSFET）。但在多数情况下，使用全面集成的负载开关具有更显著的优点。系统中的负载开关在哪里一个典型系统包括一个电源和多个负载，需要各种不同的负载电流，如Bluetooth®、Wi-Fi或处理器轨。多数
2022-11-17 08:05
本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑 本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子
2021-01-30 13:20
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选
2017-01-09 18:00
公式计算：同样，关断损耗的米勒平台时间在关断损耗中占主导地位。对于两个不同的MOSFET，如A管和B管，即使A管的Qg和Ciss小于B管的，但如果A管的Crss比B管的大得多时，A管的开关损耗就有可能
2017-03-06 15:19
前面的文章讲述过基于功率MOSFET的漏极特性理解其开关过程，也讨论过开关电源的PWM及控制芯片内部的图腾驱动器的特性和栅极电荷的特性，基于上面的这些理论知识，就可以估算功率M
2017-02-24 15:05
