MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子
2018-03-09 14:28
ROHM第三代碳化硅MOSFET特点（相比第二代）ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中，包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200
2018-08-20 17:26
MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的N
2023-04-13 09:40
功率MOSFET有二种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N
2024-10-30 15:24
FDV303N是一款N沟道 MOSFET。这种器件通常用于开关和放大电路中，可以控制电流流动并放大信号。
2023-11-03 14:56
晶体管，它属于电压控制型半导体器件。根据导电沟道类型和栅极驱动电压的不同，可以分为N沟道-增强型MOSFET、N沟道-耗尽型MO
2023-11-07 14:51
ARK（方舟微）研发销售的MOS产品主要以N沟道-耗尽型MOSFET为主（包括具有自主知识产权的高阈值电压（UltraVt®）耗尽型MOSFET系列产品），以及N沟道-
2023-11-07 14:47
减小模拟信号链的尺寸和成本，并提供ADC抗混叠保护（ADC输入信号位于ADC采样频率附近的频带中 不受数字滤波器保护，必须由模拟低通滤波器LPF衰减）。20 V p-p LPF 驱动器的典型应用是
2023-02-15 10:08
在提高 SiC 功率器件性能方面发挥重要作用的最重要步骤之一是器件制造工艺流程。SiC功率器件在用作n沟道而不是p沟道时往往表现出更好的性能;为了获得更高的性能，该器件需要在低电阻率的
2022-10-27 09:35
