20 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PMH550UPE
2023-02-07 18:54
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率
2019-07-09 17:30
压大功率MOSFET 100V-250V产品特征1、低导通电阻，低栅极电荷2、高散热能力，高结温下，大电流持续导通能力3、高EAS能力。（100%UIS测试）P/NPartNumberPackageV
2012-06-20 16:24
时，在P-和栅极相邻的区域，形成垂直的沟道，电流从漏极流向源极时，同样的，电流垂直流过硅片内部，可以看到，栅极的宽度远小于垂直导电的平面结构，因此具有更小的单元的尺寸，导通电阻更小。常用的沟槽有U型
2016-10-10 10:58
`SUN2310SGP沟道增强型功率场效应管（MOSFET） ，采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
2011-05-17 10:57
的非常宽的结温和存储温度范围.特征：•沟槽型Power MV MOSFET技术-60V•低RDS(ON)•低 GATE CHARGE•针对快速切换应用程序进行优化•VDS：-60
2019-03-13 10:54
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高 性能适配器等。
2023-09-15 08:16
概述：Y-QFT4503M（4503AGM）采用8脚贴片封装，实为一只复合MOSFET，内含一只P沟道和N沟道场效应管，如下图所示，其最大漏源电流Idsm为7A，最大漏
2021-04-06 06:53
`AON7544 N沟道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技术，具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
2020-05-29 08:39
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明， 高性能适配器等。
2023-09-15 08:19
