韩国三星近期积极将极紫外（EUV）曝光技术应用在采用1z纳米制程的DRAM记忆体生产上，并且完成了量产。而根据半导体分析机构《TechInsights》拆解了分别采用EUV曝光技术和ArF-i曝光
2021-02-22 10:31
10月21日，SK海力士宣布开发适用第三代1Z纳米的16Gb（Gigabits）DDR4（Double Data Rate 4） DRAM。
2019-10-21 16:10
经过几个月的等待，我们终于看到三星电子将极紫外（EUV）光刻技术应用于D1z DRAM的大规模量产。
2021-02-21 09:20
大体上1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm，1Znm工艺相当于12-14nm级别。
2020-03-22 14:28
2019年上半DRAM价格下跌压力沉重，尽管上游产能调节以及传统旺季拉货需求逐渐回升，预料将有望支撑跌价趋缓，为了提高生产效益及拉大竞争差距，DRAM大厂竞相推进下一代制程技术。
2019-06-21 16:43
根据集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）调查显示，在当前各家厂商库存数量下跌，加上资料中心需求持续强劲，以及2020年第1季5G手机市场对于DRAM需求扩大的情况下，近3个月连续走跌的DRAM价格已经触底反弹。
2019-12-13 13:59
继台积电、三星晶圆代工、英特尔等国际大厂在先进逻辑制程导入极紫外光（EUV）微影技术后，同样面临制程微缩难度不断增高的DRAM厂也开始评估采用EUV技术量产。三星电子今年第四季将开始利用EUV技术生产1z纳米DRAM，SK海力士及美光预期会在
2019-06-18 17:20
美光科技（Micron）16日宣布进一步推动DRAM产品的革新，其开始采用业界首个1z nm的工艺节点批量生产16Gb DDR4内存。 与上一代1Y nm相比，该公司将使用1z nm节点来改善
2019-08-20 10:22
随着台积电、英特尔、三星晶圆代工的先进逻辑制程在下半年拉高产能量产，半导体厂的12英寸硅晶圆库存已在第三季底调节至季节性正常水位。由于硅晶圆需求已在10月下旬回温，且明年7、5纳米逻辑制程、1z纳米
2019-11-06 15:54
宣布采用行业领先的 1z 纳米制程的 DDR5 寄存型 DIMM (RDIMM) 已开始出样。DDR5 是迄今为止技术上最为先进的 DRAM，其内存性能提升至少 85%，从而应对下一代服务器负载。如今
2020-02-10 12:02
