大体上1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm，1Znm工艺相当于12-14nm级别。
2020-03-22 14:28
今年以来DRAM价格持续下跌，DRAM厂南亚科今年获利表现恐不如去年好。为了维持稳定获利，南亚科将朝向优化产品组合方向调整，提高DDR4及LPDDR4X等毛利率较好的产品比重。此外，南亚科已取得美光的1x/1y纳米制
2019-03-01 16:30
闪迪公司（SanDisk）面向中国及其他高速增长市场的入门级平板电脑和智能手机发布一款理想的存储解决方案——iNAND Standard嵌入式闪存驱动器（EFD）。利用最新1Y纳米X3 NAND闪存解决方案，原始设备制造商（OEM）可快速推出搭载性能可靠的闪迪存储
2018-10-15 08:30
就在台积电与三星在逻辑芯片制程技术逐渐导入EUV技术之后，存储器产业也将追随。也就是全球存储器龙头三星在未来1Y纳米制程的DRAM存储器芯片生产上，也在研究导入EUV技术。而除了三星之外，韩国另一家
2018-10-29 17:03
Standard嵌入式闪存驱动器(EFD)。利用最新1Y纳米X3 NAND闪存解决方案，原始设备制造商(OEM)可快速推出搭载性能可靠的闪迪存储器的新型入门级数码设备。 2014-5-29 09:36
2018-09-28 15:06
HC-5557-2*1Y
2023-03-29 22:42
大多数读者应该知道Intel 的处理器、TSMC生产的SoC（System on Chip）等逻辑半导体的相关工艺，也明白到这些规则只不过对产品的命名罢了。那么，DRAM中提到的1X（18nm）、1Y（17nm）、1
2020-07-22 14:33
2018-11-12 13:24 | 查看: 21 | 评论: 0 | 来自: 半导体产业网 摘要 : 10纳米级DRAM先进制程竞争逐渐升温，三星电子在2017年率先宣布量产第二代10纳米(1y
2018-11-12 18:04
Y电容统称为安规电容，也是高压瓷片电容。Y电容连接在相线与地线之间。为了不超过相关安全标准限定的地线允许泄漏值，这些电容的值大约在几nF。一般地，Y电容应连接到噪声干扰较大的导线上。
2020-06-04 14:40
