从芯片的制造来看，7nm就是硅材料芯片的物理极限,到了7nm节点即使是finfet也不足以在保证性能的同时抑制漏电,所以
2016-10-21 14:46
英特尔则是认为可以使用一种GAA FET的最新形态——堆叠式CFET场效应管架构。这种架构的集成密度进一步提升，将n型和p型MOS元件堆叠在一起，可以堆叠8个纳米片，比RibbonFET多一倍。
2023-12-02 15:54
芯片的7nm工艺我们经常能听到，但是7nm是否真的意味着芯片的尺寸只有7nm呢？让我们一起来看看吧！
2023-12-07 11:45
高性能单层二硫化钼晶体管的实现让科研界看到了二维半导体的潜力，二维半导体材料的发展让我们看到了晶体管纵向尺寸下目前的缩放极限（< 1 nm），同样的科学家们也没有停止追寻二维半导体晶体管横向尺寸的
2022-10-17 10:50
本文将详细介绍电源测试中的极限测试，包括模块输出电流极限测试、静态高压输入、温升极限测试、EFT抗扰性测试、温度冲击强化试验、低温步进试验、高温步进试验、绝缘强度极限试
2014-03-04 11:54
在变压器和电机的工程计算中，常以额定值为基值，各物理量对额定值的比值称为各量的标么值，用各量原来符号右上角加星号表示。标么值实际上是将额定值标为一，各物理量与其的比值。同理，将额定值标为100，各物理量与其的比值为百分值，标
2020-06-18 09:31
尽管集成电路制造商不能保证芯片在其额定温度范围之外也正常工作，但当超出其温度范围限制时，芯片不会突然停止工作。但是如果工程师需要在其他温度下使用芯片，那么他们必须确定这些芯片
2019-01-18 09:55
据外媒报道，日本Dowa Electronics Corporation日前表示，已经开发出1300 nm波段的近红外芯片。
2018-09-14 16:06
SiLC在单芯片上集成了1550nm调频连续波（FMCW）激光雷达（LiDAR）功能。
2018-12-23 13:57
XX nm制造工艺是什么概念？芯片的制造工艺常常用90nm、65nm、40nm、28
2019-02-20 11:08
