交换芯片缓冲区大小并不一定是固定的。缓冲区的设计和实现会根据芯片的具体型号、规格以及应用场景的不同而有所差异。一些交换芯片可能具有固定
2024-03-18 14:42
英特尔则是认为可以使用一种GAA FET的最新形态——堆叠式CFET场效应管架构。这种架构的集成密度进一步提升，将n型和p型MOS元件堆叠在一起，可以堆叠8个纳米片，比RibbonFET多一倍。
2023-12-02 15:54
芯片的7nm工艺我们经常能听到，但是7nm是否真的意味着芯片的尺寸只有7nm呢？让我们一起来看看吧！
2023-12-07 11:45
在一些芯片外围电路中有时需要引脚接不同的阻值以对应不同的功能或状态，这往往需要比较电阻阻值的大小，类似于电压比较器
2023-10-29 17:21
据外媒报道，日本Dowa Electronics Corporation日前表示，已经开发出1300 nm波段的近红外芯片。
2018-09-14 16:06
SiLC在单芯片上集成了1550nm调频连续波（FMCW）激光雷达（LiDAR）功能。
2018-12-23 13:57
XX nm制造工艺是什么概念？芯片的制造工艺常常用90nm、65nm、40nm、28
2019-02-20 11:08
我们使用sizeof()函数来获取结构体的大小。
2023-03-14 17:30
电感器是一种能够存储磁能的电子元件，它在电路中的作用包括滤波、稳压、储能、电磁兼容性（EMC）等。电感值的大小，即电感器的电感量，是衡量电感器存储磁能能力的指标。电感值的大小与多种因素有关，包括
2024-09-29 09:25
一般的PCB的铜箔厚度为1盎司，约1.4mil的话，大致1mil线宽允许的最大电流为1A。过孔比较复杂，除了与过孔焊盘大小有关外，还与加工过程中电镀后孔壁沉铜厚度有关。
2018-10-04 08:45
