英特尔则是认为可以使用一种GAA FET的最新形态——堆叠式CFET场效应管架构。这种架构的集成密度进一步提升，将n型和p型MOS元件堆叠在一起，可以堆叠8个纳米片，比RibbonFET多一倍。
2023-12-02 15:54
芯片的7nm工艺我们经常能听到，但是7nm是否真的意味着芯片的尺寸只有7nm呢？让我们一起来看看吧！
2023-12-07 11:45
有据可查的是，与平面晶体管相比，从16nm/14nm开始的FinFET技术大大增加了必须提取的寄生值的数量。这些类似3D架构的鳍片会产生许多电容值，必须提取这些电容值才能准确模拟电气行为，并最终
2023-05-25 14:23
国内的半导体芯片对进口依赖非常高，特别是高端的内存、闪存、处理器等芯片，国内的技术落后，还不能完全国产替代。国内半导体在制造领域是落后最多的，很多人都知道光刻机在芯片生产中的的重要性，荷兰ASML公司目前垄断了高端光
2018-12-04 14:24
据外媒报道，日本Dowa Electronics Corporation日前表示，已经开发出1300 nm波段的近红外芯片。
2018-09-14 16:06
SiLC在单芯片上集成了1550nm调频连续波（FMCW）激光雷达（LiDAR）功能。
2018-12-23 13:57
XX nm制造工艺是什么概念？芯片的制造工艺常常用90nm、65nm、40nm、28
2019-02-20 11:08
矽海达公司推出一系列小尺寸1GHz以下1W到2W功率放大模块，该系列功放模块尺寸小(PCBA尺寸35.1mm x 18.1mm x 0.6mm，带铝合金腔体尺寸43.0mm x 26.0mm x 10.0mm)，
2019-11-19 10:57
和1Xnm半导体工艺的百花齐放相比，个位数的制程就显得单调许多了，很多在 1Xnm大放异彩的半导体公司都在7nm制程处遭遇到了苦头，随着AMD御用代工厂商GF宣布无限期延期7n
2018-10-28 11:34
从芯片的制造来看，7nm就是硅材料芯片的物理极限,到了7nm节点即使是finfet也不足以在保证性能的同时抑制漏电,所以工业界用砷化铟镓取代了单晶硅沟道来提高器件性能。
2016-10-21 14:46
