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型号：SGT<b class='flag-s-7'>60N60FD1</b>P7 品牌：

供应ups逆变器中的igbt管600v 60a SGT60N60FD1P7，是士兰微IGBT代理，提供SGT60N60FD1P7关键参数 ，可应用于光伏，变频器，UPS

2023-04-04 10:37 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>1N60</b>-VB 品牌：微碧

VBsemi 1N60-VB TO251 MOSFET产品简介：1N60-VB TO251是一款单N沟道场效应管，具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-

2024-07-09 13:52 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：CS<b class='flag-s-7'>1N60C1</b>H 品牌：

 华润微CS1N60C1H_TO-92 场效应管600V1A 华润华晶MOS管 现货供应

2023-01-05 21:56 加权光电 企业号

型号：SLD<b class='flag-s-7'>60N</b>02T 品牌：

 深圳市三佛科技有限公司供应SLD60N02T美浦森20V60A N沟道TO-252 MOS管品牌：美浦森 型号：SLD

2024-04-30 17:45 深圳市三佛科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>1N60</b>H-VB TO251 品牌：微碧

### 产品简介1N60H-VB是一款单路N沟道场效应管（MOSFET），采用平面技术，具有高达650V的漏极-源极电压（VDS）和2A的漏极电流（ID）能力。该器件采用TO251封装，适用于多种

2024-07-08 17:55 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：5<b class='flag-s-7'>N60L-TF1</b>-T-VB 品牌：微碧

### 5N60L-TF1-T-VB 产品简介5N60L-TF1-T-VB 是一款单 N-Channel MOSFET，采用 TO220F 封装，适用于高压应用场合。它具有650V的漏极-源极电压

2024-11-14 15:48 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>1N60</b>-VB TO251 品牌：微碧

### 产品简介：VBsemi的1N60-VB TO251是一款单N沟道MOSFET，具有高耐压和低导通电阻。采用Plannar技术，适用于低功率应用。### 详细参数说明：- **包装

2024-07-09 13:48 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：10<b class='flag-s-7'>N60KL-TF1</b>-T-VB 品牌：微碧

### 10N60KL-TF1-T-VB 产品简介**型号**: 10N60KL-TF1-T-VB  **封装**: TO220F  **配置**: 单N通道#### 产品概述

2024-07-04 17:07 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>1N60</b>-VB TO252 品牌：微碧

### 产品简介：VBsemi 1N60-VB TO252是一款单N沟道功率MOSFET，具有650V的漏极-源极电压（VDS）和30V的最大门极-源极电压（VGS）。采用Plannar技术，适用于

2024-07-09 13:50 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4<b class='flag-s-7'>N60L-TF1</b>-T-VB 品牌：微碧

### 产品简介4N60L-TF1-T-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，具有高压承受能力和稳定的性能特征。这款MOSFET适用于需要高电压和低功率特性的应用场合。### 详细

2024-11-13 14:54 微碧半导体VBsemi 企业号