1.概述W9725G6KB是一个256M位DDR2 SDRAM,组织为4194304个字 4个银行 16位。该器件实现了高达1066Mb/sec/pin(DDR2-1066)的高速传输速率
2024-03-28 10:53 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
1.概述W631GG6KB是一个1G位DDR3 SDRAM,组织为8388608个字 8个银行 16位。该器件实现了高达1866 Mb/sec/引脚(DDR3-1866)的高速传输速率,适用于
2024-03-28 14:53 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
### 产品简介**2N7002KB-VB**是一款单N沟道MOSFET,由VBsemi生产,采用SOT23-3封装。这款MOSFET具有60V的漏源电压(VDS)和20V(±)的栅源电压(VGS
2024-07-11 17:12 微碧半导体VBsemi 企业号