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型号：<b class='flag-s-7'>19N10</b>V-VB 品牌：微碧

### 产品简介：VBsemi的19N10V-VB是一款单N沟道MOSFET，具有高性能和可靠性。采用槽道技术，适用于各种领域和模块的应用。### 详细参数说明：- **包装**：TO252-

2024-07-08 17:15 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>19N10</b>G-TA3-T-VB 品牌：微碧

### 产品简介19N10G-TA3-T-VB是一款单路N沟道场效应管（MOSFET），采用槽沟道技术，具有高达100V的漏极-源极电压（VDS）和18A的漏极电流（ID）能力。该器件采用TO220

2024-07-08 17:02 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>19N10</b>VL-TN3-T-VB 品牌：微碧

VBsemi 19N10VL-TN3-T-VB TO252 MOSFET产品简介：VBsemi的19N10VL-TN3-T-VB TO252是一款TO252封装的单通道N沟道MOSFET。该产品具有

2024-07-08 17:13 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>19N10</b>G-T3P-T-VB 品牌：微碧

VBsemi 19N10G-T3P-T-VB TO247 MOSFET产品简介：19N10G-T3P-T-VB是一款单N沟道场效应管，具有100V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压

2024-07-08 17:00 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>19N10</b>L-TM3-T-VB 品牌：微碧

### 产品简介VBsemi的19N10L-TM3-T-VB是一款单N沟道场效应管（MOSFET），具有100V的漏极-源极电压（VDS）和20V的门极-源极电压（VGS）。该器件采用Trench

2024-07-08 17:03 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：APTM<b class='flag-s-7'>10TAM19</b>FPG 品牌：

APTM10TAM19FPG型号简介      APTM10TAM19FPG是Microchip推出的一款功率模块，这款功率模块的紧凑封装，如同一位优雅的舞者

2024-12-11 11:14 立年电子科技 企业号

型号：APT<b class='flag-s-7'>10M19</b>BVR-VB 品牌：微碧

### APT10M19BVR-VB 产品简介APT10M19BVR-VB 是一款单通道N沟道MOSFET，封装为TO247，专为高功率应用设计。这款MOSFET 的最大漏源电压（VDS）为100V

2024-12-31 15:57 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>19N10</b>VL-TN3-R-VB 品牌：微碧

**产品简介：**19N10VL-TN3-R-VB MOSFET是一款单N沟道功率MOSFET，具有100V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），和1.8V的阈值电压

2024-07-08 17:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：Aip1637 品牌：中微爱芯（停用）

AiP1637 是一款 2 线串口共阳极 8 段 6 位带 8*2 位键盘扫描的 LED 驱动控制专用电路，内置键盘扫描接口，MCU 数字接口、数据锁存器、LED

2021-11-22 15:51 富瑞世嘉 企业号

型号：APTM<b class='flag-s-7'>10DSKM19</b>T3G 品牌：

APTM10DSKM19T3G型号简介       APTM10DSKM19T3G是Microchip推出的一款功率模块，这款功率模块拥有着低导通电阻、低输入

2024-12-09 17:52 立年电子科技 企业号