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型号：PA-37-5<b class='flag-s-7'>G19G</b>-33DBM-SFF 品牌：

   PA-37-5G19G-33DBM-SFF   功率放大器Quantic PMI 型号 PA-37-5G19G

2024-10-14 19:12 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：TCL1-<b class='flag-s-7'>19G</b>2+ 品牌：

微型电路的TCL1-19G2+是一个频率为800兆赫至1.9千兆赫的不对称电路,插入损耗0.13至1.22分贝,电流30毫安,功率0.25瓦,返回损耗5.94至20.13分贝。  

2023-08-22 13:42 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：APTM50SKM<b class='flag-s-7'>19G</b> 品牌：

APTM50SKM19G型号简介       APTM50SKM19G是Microchip推出的一款功率模块，这款功率模块能够迅速将热量散发出去，就像一位勇敢

2025-02-10 10:33 立年电子科技 企业号

型号：5802<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 5802NG-VB 产品简介5802NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO252 封装。它具有低漏极-源极电压（40V）和高电流处理能力

2024-11-14 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：5407<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 5407NG-VB 产品简介5407NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO252 封装。它具有较低的漏极-源极电压（40V）和高电流处理能力

2024-11-14 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：5805<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

合。### 5805NG-VB 详细参数说明- **封装类型**：TO252- **器件配置**：单 N 沟道- **漏极-源极电压 (VDS)**：40V- **栅极-源极

2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：TC4-<b class='flag-s-7'>19G</b>2+ 品牌：

微型电路的TC4-19G2+是频率为10兆赫至1.9千兆赫的BALE,幅值平衡为0.01~1.95分贝,相位平衡为0.03~4.99分贝,插入损耗为0.99~2.99分贝,电流为30毫安。 

2023-08-22 11:36 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：5803<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

说明- **型号**: 5803NG-VB- **封装**: TO252- **配置**: 单 N 沟道- **最大漏源电压 (VDS)**: 40V- **最大栅源电压

2024-11-14 14:19 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：APTM10HM<b class='flag-s-7'>19FT3G</b> 品牌：

APTM10HM19FT3G型号简介       APTM10HM19FT3G是Microchip推出的一款功率模块，这款功率模块如同一位轻盈的舞者，优雅

2024-12-11 10:22 立年电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>19N10G</b>-TA3-T-VB 品牌：微碧

### 产品简介19N10G-TA3-T-VB是一款单路N沟道场效应管（MOSFET），采用槽沟道技术，具有高达100V的漏极-源极电压（VDS）和18A的漏极电流（ID）能力。该器件采用TO220

2024-07-08 17:02 微碧半导体VBsemi 企业号