141-18SMNB+的产品详情、技术参数及其应用领域,帮助您更好地了解这一优质连接器。产品详情141-18SMNB+是一款具有0.141英
2024-04-10 22:30 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
Mini Circuits 的 ZCDC13-K1844+ 是一款定向耦合器,频率为 18 至 40 GHz,耦合 13 dB,耦合变化 ±1.8 dB,方
2023-08-30 13:52 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
应用,如电源管理、信号开关等领域。### 详细的参数说明- **型号**: 2N7002A-13-VB- **封装**: SOT23-3- **配置**: 单N沟道-
2024-07-11 16:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:VBsemi的MOSFET产品13N10-VB是一款单N沟道MOSFET,采用了Trench技术,具有100V的漏极-源极电压(VDS)和18A的漏极电流(ID)能力。该产品在
2024-07-06 14:24 微碧半导体VBsemi 企业号
QM33120WTR13 评测与应用产品概述QM33120WTR13 是一款高效的功率放大器,专为高频应用设计。其出色的增益和线性度使其在现代通信系统中占据重要位置。产品技术资料频率范围:1 GHz
2024-10-15 11:32 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介:13N50I-VB 是一款单N沟道场效应管(MOSFET),具有550V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS,±V),3V的阈值电压(Vth),260m
2024-07-06 14:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AP18T10GH-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用先进的沟槽技术,封装为TO252。它具备高电压承受能力和低导通电阻,适用于中功率和中电压应用。### 详细参数
2024-12-17 10:44 微碧半导体VBsemi 企业号
助于散热,适合在需要可靠功率管理的空间受限设计中使用。### AP18T10GH-HF-VB 参数说明- **封装类型**:TO252- **配置**:单N沟道- *
2024-12-17 10:42 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi的13N20-VB是一款单N沟道MOSFET,采用Trench技术,具有200V的漏极-源极电压(VDS)和20V的栅极-源极电压(VGS)。该器件的漏极-源极导通电
2024-07-06 14:26 微碧半导体VBsemi 企业号