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型号：ZCDC<b class='flag-s-7'>13</b>-K1844+ 品牌：

 Mini Circuits 的 ZCDC13-K1844+ 是一款定向耦合器，频率为 18 至 40 GHz，耦合 13 dB，耦合变化 ±1.8 dB，方

2023-08-30 13:52 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>13</b>N10-VB 品牌：微碧

### 产品简介：VBsemi的MOSFET产品13N10-VB是一款单N沟道MOSFET，采用了Trench技术，具有100V的漏极-源极电压（VDS）和18A的漏极电流（ID）能力。该产品在

2024-07-06 14:24 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：XPD320B<b class='flag-s-7'>18</b> 品牌：

供应XPD320B18 富满18w协议芯片外置VBUS MOS，XPD320 是一款集成 USB Type-C、USB Power  Delivery（PD3.0）以及 PPS

2023-05-30 14:10 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：QM33120WTR<b class='flag-s-7'>13</b> 是一<b class='flag-s-7'>款</b>高效的功率放大器 品牌：

QM33120WTR13 评测与应用产品概述QM33120WTR13 是一款高效的功率放大器，专为高频应用设计。其出色的增益和线性度使其在现代通信系统中占据重要位置。产品技术资料频率范围：1 GHz

2024-10-15 11:32 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>13</b>N50I-VB 品牌：微碧

### 产品简介：13N50I-VB 是一款单N沟道场效应管（MOSFET），具有550V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），3V的阈值电压（Vth），260m

2024-07-06 14:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：FHX<b class='flag-s-7'>13</b>X 品牌：

FHX13X型号简介Sumitomo的FHX13X、FHX14X是超高电子迁移率晶体管（SuperHEMTTM）适用于通用、超低噪音和高2至18GHz频率范围内的增益放大器。设备状况良好适用于电信

2023-12-05 10:31 立年电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>13</b>N20-VB 品牌：微碧

### 产品简介VBsemi的13N20-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，具有200V的漏极-源极电压（VDS）和20V的栅极-源极电压（VGS）。该器件的漏极-源极导通电

2024-07-06 14:26 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：QCN-<b class='flag-s-7'>13</b>D+ 品牌：

Mini Circuits 的 QCN-13D+ 是一款 90 度混合耦合器，频率为 675 至 1300 MHz，平均功率 15 W，插入损耗 0.3 至 0.9 dB，隔离度 13 至 20

2023-08-18 10:16 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>13</b>N50L-TF3-T-VB 品牌：微碧

### 产品简介：13N50L-TF3-T-VB是一款单N沟道MOSFET，具有550V的漏极-源极电压（VDS）、30V的栅极-源极电压（VGS，±V）、3V的阈值电压（Vth）、260m

2024-07-06 14:42 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>13</b>N50L-TF1-T-VB 品牌：微碧

### 产品简介VBsemi的13N50L-TF1-T-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，具有550V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），3V

2024-07-06 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号