的最大漏源电压(V_DS)为 650V,最大漏电流(I_D)为 10A,适用于电源管理、电机控制和开关电源等高电压、高功率应用。STP9NC65FP-VB 采用
2025-09-18 16:50 微碧半导体VBsemi 企业号
MOSFET 的最大漏源电压(V_DS)为 650V,最大漏电流(I_D)为 10A,适用于高效电力控制和开关电源等场合。STP8NM60FP-VB 采用了 Planna
2025-09-18 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号
。它的最大漏源电压(Vds)为 650V,适合应用于工业控制、开关电源、家电及其他高电压系统。STP6LNC60FP-VB 的最大漏极电流(Id)为 7A,支持中
2025-09-18 15:33 微碧半导体VBsemi 企业号