的最大漏源电压(V_DS)为 650V,最大漏电流(I_D)为 10A,适用于电源管理、电机控制和开关电源等高电压、高功率应用。STP9NC65FP-VB 采用
2025-09-18 16:50 微碧半导体VBsemi 企业号
MOSFET 的最大漏源电压(V_DS)为 650V,最大漏电流(I_D)为 10A,适用于高效电力控制和开关电源等场合。STP8NM60FP-VB 采用了 Planna
2025-09-18 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号