1550nm半导体光放大器SOA芯片见合八方1550nm波长的半导体光放大器（SOA）芯片是一款高增益、高功率、低偏振损耗、高消光比的全工艺国产化的
2022-05-23 21:44 天津见合八方光电科技有限公司 企业号
### 14NM65N-VB TO247 产品简介14NM65N-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET，采用 TO247 封装技术。该器件具有 650V 的漏源电压 (VDS
2024-07-06 15:56 微碧半导体VBsemi 企业号
FL086-6NM+ 同轴电缆简介FL086-6NM+ 是一种高性能同轴电缆，广泛应用于通信、测试设备及其他电子系统中。其优越的性能使其成为许多行业的理想选择，特别是在
2024-08-25 02:07 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
如需咨询请点击左侧关于页面，然后电联（ 切记不要留言 不要留言 留言 留言看不到无法沟通） Mini-Circuits 36-12-141-12NM产品概述36-12-141-12NM
2024-10-17 10:37 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
1310nm SOA半导体光放大芯片COC见合八方1310nm波长的半导体光放大器（SOA）芯片系列专为高增益，高功率，低偏振和宽谱SOA模块而设计，符合GR-468-
2022-05-25 00:31 天津见合八方光电科技有限公司 企业号
36-12-141-3NM是一款灵活的RF电缆组件，设计用于多种射频应用，具备良好的信号传输性能。技术资料频率范围：DC至3 GHz插入损耗：低于0.6 dB回波损耗
2024-10-17 10:38 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介：VBsemi的MOSFET产品14NM50N-VB是一款单N沟道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有500V的漏极-源极电压（VDS）和14A的漏极电流（ID
2024-07-06 15:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：14NM50N-VB是一款单N沟道MOSFET，具有550V的漏极-源极电压（VDS）、30V的栅极-源极电压（VGS，±V）、3V的阈值电压（Vth）、260mΩ@VGS=10V
2024-07-06 15:51 微碧半导体VBsemi 企业号
MADP-04002B-NM402T轴向引线 PIN 二极管HIPAX 系列 PIN 二极管设计用于需要高功率处理和低失真的开关和衰减器应用。这些二极管包含一个完全钝化的 PIN 二极管芯片，可实现
2023-03-09 12:46 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
MADP-07006B-NM401T 非磁性大功率 PIN 二极管 PIN 二极管系列设计用于需要高功率处理和低失真的开关和衰减器应用。这些二极管包含一个完全钝化的 PIN
2023-03-09 12:37 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
