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2022-05-23 21:44 天津见合八方光电科技有限公司 企业号
### 14NM65N-VB TO247 产品简介14NM65N-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET,采用 TO247 封装技术。该器件具有 650V 的漏源电压 (VDS
2024-07-06 15:56 微碧半导体VBsemi 企业号
### **STP8NM60FP-VB 产品简介**STP8NM60FP-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高电压、高电流的应用设计。该
2025-09-18 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. **产品简介 - STF8NM60ND-VB**STF8NM60ND-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极 N 型 MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS)耐压能力
2025-09-18 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号
### STF8NM50N-VB 产品简介STF8NM50N-VB 是一款采用 **Plannar 技术** 的 N-沟道功率 MOSFET,封装形式为 TO220F。它具备 **650V
2025-09-18 14:04 微碧半导体VBsemi 企业号
### P8NM60FP-VB 产品简介P8NM60FP-VB 是一款高压 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高电压应用设计,能够处理高达 650V 的漏源电压
2025-09-16 11:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、8NM60ND-VB 产品简介8NM60ND-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO263 封装,适合高压功率开关和电源管理应用。它具有650V的漏源极电压承受能力和优良的导
2024-11-22 17:23 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:STP8NM50FP-VBSTP8NM50FP-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET,采用TO220F封装,专为高电压、大电流应用设计,最大漏源电压(V_DS)为650V,漏极
2025-09-18 16:21 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、STF8NM60N-VB 产品简介STF8NM60N-VB 是一款高压 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于多种高电压应用。这款 MOSFET 的最大漏源电压(VDS
2025-09-18 14:10 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:VBsemi的MOSFET产品14NM50N-VB是一款单N沟道MOSFET,采用了SJ_Multi-EPI技术,具有500V的漏极-源极电压(VDS)和14A的漏极电流(ID
2024-07-06 15:53 微碧半导体VBsemi 企业号