对CMOS SRAM抗单粒子翻转性能的影响及原因。研究表明:随着特征尺寸的减小,SRAM单元单粒子翻转的临界电荷减小,电荷收集效率由于寄生双极晶体管效应而增加,造成LETth随特征尺寸缩小而迅速减小,
2010-04-22 11:50
UM3257采用亚微米CMOS工艺生产，在DFN12的封装里面集成了2路单刀双掷开关电路，DFN12封装的外形尺寸为3mmX1.6mmX0.5mm,占用PCB板面积4.
2021-04-16 07:38
的重要应用领域。另一方面，CMOS传感器近年来取得的发展，特别是在使用小尺寸像素获得高分辨率以及降低噪声和暗电流水平等方面取得的成就，已使CMOS传感器成为一种应用越来越广泛的低成本设备。从图像采集
2019-05-06 09:18
，与CMOS相比，它的噪声相对减少很多，大大提高了图像品质。 耗电量差异：CMOS采用主动式图像采集方式，感光二极管所产生的电荷会直接由旁边的电晶体放大输出；而CCD为被动式采集方式，必须外加12~18V
2012-06-21 09:38
CMOS传感器由于其从每个像素单独提取信息的能力以及其低成本和低功耗，已成为图像传感器的主导技术。后者主要归因于近年来CMOS像素尺寸的快速缩小。然而，小的特征尺寸也使
2025-06-16 08:49
CMOS传感器由于其从每个像素单独提取信息的能力以及其低成本和低功耗，已成为图像传感器的主导技术。后者主要归因于近年来CMOS像素尺寸的快速缩小。然而，小的特征尺寸也使
2025-04-07 11:30
求贴片电感330（12*12*7）的封装尺寸资料，或是数据手册，在百度上没有找到，谢谢各路大神！
2016-10-10 14:59
随着多媒体、数字电视，可视通信等领域的热点增加，CMOS图像传感器应用前景更加广阔，在实现小像素尺寸方面，CMOS图像传感器取得了快速的进步，已有3.3 m 3.3 m像素
2018-10-30 16:13
什么是TTL电平，什么是CMOS电平，他们的区别(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V CMOS电平Vcc可达到12V ...
2022-01-25 06:19
，图像细节丢失情况会愈为严重。因此在传感器尺寸相同的前提下，CCD的像素规模总是高于同时期的CMOS传感器，这也是CMOS长期以来都未能进入主流数码相机市场的重要原因之一。每个感光元件对应图像传感器中
2018-12-06 16:32
