。尤其在高压工作环境下，依然体现优异的电气特性，其高温工作特性，大大提高了高温稳定性，也大幅度提高电气设备的整体效率。 产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。 1200V碳化硅
2020-09-24 16:23
Nexperia（安世半导体）近日宣布，公司推出了业界领先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，标志着其在高功率半导体领域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34
基本半导体1200V 碳化硅MOSFET采用平面栅碳化硅工艺，结合元胞镇流电阻设计，开发出了短路耐受时间长，导通电阻小，阈值电压稳定的
2019-01-17 15:40
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅
2024-03-28 10:01
意法半导体的碳化硅MOSFET技术，不但每单位面积的导通电阻非常之低，切换效能绝佳，而且跟传统的硅基续流二极体（FWD）相比，内接二极体关闭时的反向恢复能量仍在可忽略范围内。
2020-06-23 19:17
该功率MOSFET采用碳化硅（SiC）这种新材料，与常规的硅（Si）MOSFET、IGBT产品相比，具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性，有利于降低功耗，精简系统。
2020-10-19 16:11
碳化硅器件与硅器件的对比，开关特性，导通特性对比。
2018-01-24 15:25
）和氮化镓（GaN）等第三代半导体材料正凭借其优越的性能和巨大的市场潜力，成为全球半导体市场的焦点。借此契机，东芝推出了新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW070J120B”。 01特征属性分析 TW
2021-06-04 18:21
该功率MOSFET采用碳化硅（SiC）这种新材料，与常规的硅（Si）MOSFET、IGBT产品相比，具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性，有利于降低功耗，精简系统。
2020-10-20 15:18
全球电路保护领域的领先企业Littelfuse， Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出两款1200V碳化硅（SiC） n通道增强型
2018-03-19 09:55
