本半导体制造商罗姆面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此产品损耗
2019-03-18 23:16
测试板。 实验结果： 电流源驱动器和传统电压源驱动器板均使用双脉冲测试进行评估。评估了 1200V、100A 分立式 IGBT 和 1200V、55A、40mΩ 碳化硅-MOSFET。两款器件
2023-02-21 16:36
`整流二极管两端开机关机瞬间浪涌有800V到1200V，加了EMI电路了还不行，那位大神教下下怎么去除？公式怎么算的`
2020-07-14 18:58
测试1200V输入时，加十多分钟后就炸机了，不是一开始就炸，MOS管那一串都炸了，变压器没烧毁。大神帮我看一下电路和波形，600V以后的CS波形感觉就不太好看了，不知道是什么导致的。示波器通道2坏了，没法双通道，只能这样了。
2017-12-13 08:56
二极管最大耐电压为1700V，输出平均电压为890V，输出平均电流为50A；滤波电容 8800uF/400V;IGBT的额定电压为1200V，额定电流为205A的
2014-12-18 12:00
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范，具体而言，低压MOSFET
2019-08-09 07:28
AM335x+Altera Cyclone IV，VGA做EMC雷击浪涌测试时，VGA线缆为10m屏蔽线缆，加5kHz的干扰电压，电压小于±1200v时有雪花状闪屏（有雪花，但屏幕不会完全变黑
2014-01-06 18:33
逆变器的IGBT在短路时，短路尖峰电压较高有可能会击穿IGBT，1200V的管子尖峰电压可能超过400V，1700V的管子尖峰电压可能超过500V，虽然在IGBT上下桥
2024-04-10 18:35
频率选择演示了基于 1200V SiC MOSFET 的 500-840V 可变直流母线的 OBC 设计，用于 250-450V 电池电压 ［10］。OBC的整体效率得
2023-02-27 09:44
IGBT导通后，电源1000V，电阻100Ω，仿真出电路电流10A（如图1、图2），这个没问题。但电源1000V，电阻10Ω，仿真出电流为什么不是100A（如图3、图4）？是IGBT引起的吗？ 图1 图2 图3 图4
2023-05-25 11:47
