ROHM第三代碳化硅MOSFET特点（相比第二代）ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中，包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和
2018-08-20 17:26
本文介绍了为工业应用设计的第8代1800A/1200V IGBT功率模块，该功率模块采用了先进的第8代IGBT和二极管。与传统功率模块相比，该模块采用了分段式栅极沟槽（SDA）结构，并通过可以控制
2024-11-14 14:59
ROHM新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※1）的1200V耐压IGBT“RGS系列”产品。
2019-05-13 18:30
随着电动汽车的车载充电器 (OBC) 迅速向更高功率和更高开关频率发展，对 SiC MOSFET 的需求也在增长。许多高压分立 SiC MOSFET 已经上市，工程师也在利用它们的性能优势
2023-06-08 15:40
意法半导体的碳化硅MOSFET技术，不但每单位面积的导通电阻非常之低，切换效能绝佳，而且跟传统的硅基续流二极体（FWD）相比，内接二极体关闭时的反向恢复能量仍在可忽略范围内。
2020-06-23 19:17
由于其极低的开关损耗，碳化硅 (SiC) MOSFET 为最大限度地提高功率转换器的效率提供了广阔的前景。然而，在确定这些设备是否是实际电源转换应用的实用解决方案时，它们的短路鲁棒性长期以来一直是讨论的话题。
2022-08-09 09:39
之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章将概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响，作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部分，还将提供
2023-06-16 14:39
在 PCT 期间，当 DUT 开启时，由于电流从漏极流向源极，DUT 温度会升高(图 1a)。当 DUT 关闭时，通过从源极到漏极的感测电流测量体二极管压降。通过应用图 1b 中所示的 V SD -T 校准曲线，可以在知道体二极管压降的情况下估算结温 T J 。
2022-12-12 09:14
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出针对感应加热、不间断电源(UPS)太阳能和焊接应用而设计的可靠、高效 1200V 绝缘栅双极晶体管
2011-09-07 17:59
650V 60mΩ SiC MOSFET主要应用市场包括光伏和储能、驱动、电动汽车及充电桩、UPS、电源等。据HIS报告，电动汽车充电市场的增长将非常强劲，高达59%。
2022-08-02 15:06
