输出1200V,800W，输出脉宽可调的电源电路:由芯片SG3525A组成。
2008-12-07 19:20
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）最近，又有国内GaN厂商成功突破1200V GaN器件技术。7月26日，宇腾科技在社交平台上宣布公司自主研发生产的蓝宝石基GaN功率器件工作电压达到1200V，已进入
2024-07-31 01:06
本文介绍了为工业应用设计的第8代1800A/1200V IGBT功率模块，该功率模块采用了先进的第8代IGBT和二极管。与传统功率模块相比，该模块采用了分段式栅极沟槽（
2024-11-14 14:59
Nexperia（安世半导体）近日宣布，公司推出了业界领先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，标志着其在高功率半导体领域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34
作为国内首批自主研发并量产应用SiC器件的公司，在SiC功率器件领域，比亚迪半导体于2020年取得重大技术突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全桥SiC功率模块，并已实现在新能源汽车高端车型电机驱动控
2022-06-21 14:40
在全球新能源汽车加速普及的今天，续航短、充电慢成为行业发展瓶颈。为突破这两大痛点，高功率电压系统对1200V耐压功率芯片的需求愈发迫切，1200V SiC
2025-05-14 17:55
1200V级SiC MOSFET是一种能充分发挥SiC优势的器件，广泛应用于工业、汽车等领域。目前，1200V级SiC MOSFET被多家器件厂商定位为主力产品，本文主要介绍三菱电机1200V级SiC MOSFET的
2024-12-04 10:50
Infineon 公司的EconoDUAL 3模块是600A/1200V的IGBT,主要的典型应用包括自动驱动系统的频率变换器,光伏电压系统的中央逆变器,汽车柴油发动机驱动器(CAV),同等封装尺寸,可增加功率30%.本文
2010-06-21 21:52
。此次，赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块中，采用了罗姆的新产品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，双方将继续保持紧密合作，全力响应全球电机驱动用户的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常务执
2023-04-26 09:17
