本半导体制造商罗姆面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此产品损耗
2019-03-18 23:16
为6.8 Ω）。对于使用VSD的1200V、55A SiC-MOSFET，需要27Ω的栅极电阻才能将dv/dt限制在5V/ns，对于电流源极驱动器，需要290mA的栅极电流设置（ROUTREF值为
2023-02-21 16:36
频率选择演示了基于 1200V SiC MOSFET 的 500-840V 可变直流母线的 OBC 设计，用于 250-450V
2023-02-27 09:44
有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43
WInSiC4AP的主要目标是什么？SiC技术在WInSiC4AP中有什么应用？
2021-07-15 07:18
请问：驱动功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素？
2019-07-31 10:13
/dt值。模块和系统的寄生电感LModule和LDC-Link会因此而产生电压降，从而导致芯片两端的电压过冲。 如果电流斜率过高，该过压可能会超过SiC器件的最大阻断电压，例如1200V。降低开关速度
2023-02-20 16:29
1）。图1.与最新一代IGBT相比，TW070J120B SiC MOSFET的开关速度明显更快，可在功率转换器中提供更高的效率在 3 相 400 V PFC 中仿真，SiC
2023-02-22 16:34
0V关闭SiC MOSFET时，必须考虑一种效应，即Si MOSFET中已知的米勒效应。当器件用于桥式配置时，这种影响可能会出现问题，尤其是当一个
2023-02-24 15:03
`请问：图片中的红色白色蓝色模块是什么东西？芯片屏蔽罩吗？为什么加这个东西？抗干扰或散热吗？这是个SiC MOSFET DC-DC电源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21
