国产碳化硅SiC模块（丹弗斯DCM1200V800A）ASC800N1200DCS12/https://pan.baidu.com/s/1EwhD3deePtU2v4w
2023-02-13 17:02
本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管，设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子
2023-06-16 06:15
SiC JBS二极管提供卓越的功能，包括但不限于高温操作，高阻断电压和快速开关能力。本文档介绍高级交换与SiC肖特基二极管相比，GeneSiC的1200 V/12 A
2023-06-16 11:42
介绍了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二极管的100KHz，10KW交错式硬开关升压型DC / DC转换器的参考设计和性能。 SiC功率半导体的超
2019-05-30 09:07
CRD-60DD12N，60 kW交错式升压转换器演示板基于1200 V，75mΩ（C3M）SiC MOSFET。该演示板由四个15 kW交错升压级组成，每个级使用CG
2019-04-29 09:18
2ED250E12-F_EVAL，2ED250E12-F评估驱动板的开发是为了在客户使用1200V PrimePACK IGBT模块进行首次设计时为其提供支持。评估驱动板是一个功能齐全的IGBT模块驱动器，其中两个1ED020I12-F驱动器IC过程控制和反馈信号并提供电流绝缘
2020-04-14 09:54
RD-354，参考设计使用FNA22512A 25A / 1200V，3.7 kW三相逆变器。该参考设计支持1200 V Motion SPM 2系列的设计
2020-07-18 12:23
RD-354，参考设计使用FNA23512A 35A / 1200V，5.5 kW三相逆变器。该参考设计支持1200 V Motion SPM 2系列的设计
2020-07-18 12:46
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42
变压器进行限制。主要特色针对多个光伏串的隔离式高侧电流感应能够以小于 1% 满量程的精度监测电流通过智能汇流箱中的 I2C 支持 1200V 隔离式电流感应可将其他 INA260 器件连接到 I2C 总线
2018-10-25 16:24
