。尤其在高压工作环境下，依然体现优异的电气特性，其高温工作特性，大大提高了高温稳定性，也大幅度提高电气设备的整体效率。 产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。 1200V碳化硅MOSFET系列选型
2020-09-24 16:23
。如果是相同设计，则与芯片尺寸成反比，芯片越小栅极电阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此栅极电容小，但内部栅极电阻增大。例如，1200V 80mΩ产品（S2301为裸芯片
2018-11-30 11:34
介绍了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二极管的100KHz，10KW交错式硬开关升压型DC / DC转换器的参考设计和性能。 SiC功率半导体的超
2019-05-30 09:07
本半导体制造商罗姆面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此产品损耗
2019-03-18 23:16
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高温时功率损耗低.高温工作性能（200C）.无恢复损耗的体二极管.驱动方便.低栅极充电（SCT*N6
2017-07-27 17:50
产品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封装。其他器件很快将在同一封装中投入生产，加上
2019-07-30 15:15
40mR导通电阻Ron的SIC-MOSFET来说，17A的电流发热量还是挺大，在实际应用中需要加强散热才可以。不过，1200V的SIC-MOSFET并不适合做低压大电流的应用，这里才是48
2020-06-10 11:04
问题。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不会发生这类问题）ROHM通过开发不会扩大堆垛层错的独特工艺，成功地确保了体二极管通电的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC
2018-11-30 11:30
本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管，设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子
2023-06-16 06:15
在内的各种应用中的采用。当前的SiC-SBD产品结构分为耐压为650V与1200V、额定电流为5A～40A的产品，具体因封装而异。其概要如下表所示。另外，ROHM正在开发650
2018-12-04 10:09
