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型号：GK-1000 品牌：

GK-1000光刻掩膜版测温仪，光刻机曝光光学系统测温仪光刻机是一种用于微纳米加工的设备，主要用于制造集成电路、光电子器件、MEMS（微机电系统）等微细结构。光刻机是一

2023-07-07 11:46 安徽鼎诺仪器科技有限公司 企业号

型号：SJ6000 品牌：中图仪器

光刻机的工作台是一个六自由度的运动台，其中X/Y向运动台是的核心基础工序。管控XY轴角度Yaw和Pitch，直线度Horizontal Straightness和Vertical

2023-02-20 15:49 中图仪器 企业号

型号：B<b class='flag-s-7'>11NM</b>60-VB 品牌：微碧

### 产品简介B11NM60-VB 是一款高效单级N沟道 MOSFET，封装形式为 TO263。采用 Trench 技术，具备低导通电阻和大电流处理能力，特别适用于高电压开关和功率控制

2025-01-07 11:06 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>11NM</b>65N-VB TO220F 品牌：微碧

### 11NM65N-VB TO220F 产品简介11NM65N-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装技术。该器件具有 650V 的漏源电压

2024-07-05 15:10 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>11NM</b>60ND-VB TO252 品牌：微碧

### 产品简介**型号：11NM60ND-VB TO252**VBsemi的11NM60ND-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，采用先进的SJ_Multi-EPI技术设计，具有低导通电阻和高

2024-07-05 15:09 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>11NM</b>65N-VB TO252 品牌：微碧

### 11NM65N-VB TO252 产品简介**产品概述**：11NM65N-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术制造，具有低导通电阻和高电压承受能力

2024-07-05 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>11NM</b>60ND-VB TO251 品牌：微碧

### 产品简介VBsemi的11NM60ND-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，具有高达650V的漏极-源极电压（VDS）和30V的栅极-源极电压（VGS）。该器件

2024-07-05 15:08 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>11NM</b>50N-VB TO252 品牌：微碧

### 产品简介：11NM50N-VB TO252是一款单N沟道MOSFET，具有650V的漏极-源极电压（VDS）、30V的栅极-源极电压（VGS，±V）、3.5V的阈值电压（Vth）、370m

2024-07-05 15:04 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SJ6000 品牌：中图仪器

中图仪器SJ6000高端激光干涉测量仪可以实现线性、角度、直线度、垂直度、平面度等几何量的检测，结合软件系统，可以用于速度，加速度，振动分析以及稳定度等分析。仪器以干涉技术为核心，其光波可直接对米进行定义。采用激光双纵模热稳频技术，可实现高精度、抗干扰能力强、长期稳定性好的激光频率输出；采用高精度环境补偿模块，可实现激光波长和材料的自动补偿；干涉镜与主机分离

2023-02-24 16:53 中图仪器 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>11NM</b>60ND-VB TO220F 品牌：微碧

## 产品简介：VBsemi的MOSFET产品11NM60ND-VB是一款单N沟道MOSFET，采用了Plannar技术，具有650V的漏极-源极电压（VDS）和12A的漏极电流（ID）能力。该产品

2024-07-05 15:06 微碧半导体VBsemi 企业号