如需咨询请点击左侧关于页面，然后电联（ 切记不要留言 不要留言 留言 留言看不到无法沟通） Mini-Circuits 36-12-141-10NM RF电缆组件产品概述Mini-Circuits
2024-10-17 10:30 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
1550nm半导体光放大器SOA芯片见合八方1550nm波长的半导体光放大器（SOA）芯片是一款高增益、高功率、低偏振损耗、高消光比的全工艺国产化的
2022-05-23 21:44 天津见合八方光电科技有限公司 企业号
### 一、10NM60N-VB 产品简介10NM60N-VB 是由 VBsemi 生产的单 N-沟道 MOSFET，封装类型为 TO220F。采用平面技术设计，具有较高的耐压和较低的导通电
2024-07-05 11:50 微碧半导体VBsemi 企业号
### 10NM60ND-VB 产品简介10NM60ND-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用TO252封装。这款MOSFET具有650V的漏源极电压（VDS），能够承受高压环境中
2024-07-05 11:48 微碧半导体VBsemi 企业号
深圳市港禾科技有限公司所上传的产品图片均为实物拍摄。STD10NM60ND 由于电子元器件价格因市场浮动，网站展示价格仅为参考价，不能作为最后成交价格，具体价格请与业务重新
2022-08-03 16:04 深圳市港禾科技有限公司 企业号
### 10NM60N-VB 产品简介10NM60N-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，具有高压（650V）和适中电流（9A）特性。采用 SJ_Multi-EPI 技术制造，适用于各种高压
2024-07-05 11:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**10NM60ND-VB MOSFET** 是一款单 N-沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装。该器件具有650V 的漏极-源极电压（VDS），在正负30V 的栅极-源极
2024-07-05 11:47 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是对10NM50N-VB TO220F产品的详细介绍：### 产品简介：10NM50N-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术制造，具有高达650V的漏极-源极电压（VDS
2024-07-05 11:44 微碧半导体VBsemi 企业号
覆盖从可见光到通信波长的宽光谱范围机型波长范围: 350 ~ 1750nm波长精度: ±0.05nm波长分辨率设置: 0.05 ~ 10nm功率范围: +20 ~ -80dBm动态范围: 60dB
2022-03-26 15:37 深圳市科瑞电子仪器设备有限公司 企业号
### 产品简介：10NM50N-VB 是一款单通道 N 型 MOSFET，采用 SJ_Multi-EPI 技术制造，具有650V 的漏极-源极电压（VDS），30V 的栅极-源极电压（VGS
2024-07-05 11:46 微碧半导体VBsemi 企业号
